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GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker für Satellitenkommunikation im Millimeterwellenbereich

Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF: Mit zunehmend steigenden Datenraten im Mobilfunk wächst auch der Bedarf an leistungsfähigerer hochfrequenzelektronischer Hardware. Das gilt besonders für satellitengestützte globale Kommunikationsnetzwerke, die bei allen Wetterbedingungen und ...

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