Neues Halbleitermaterial: AlYN verspricht energieeffizientere und leistungsfähigere Elektronik
Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF: Forschende des Fraunhofer IAF haben einen Durchbruch im Bereich der Halbleitermaterialien erzielt: Mit Aluminiumyttriumnitrid (AlYN) ist es ihnen gelungen, ein neues und vielversprechendes Halbleitermaterial mit dem MOCVD-Verfahren herzustellen und ...
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